本示例使用到的资源：
无

本示例的功能实现流程：
1、上电配置时钟（PLL 48MHz）
2、初始化编程数据缓存区：0x5a5a00xx(xx为0x00~0x3F)；
3、Flash控制寄存器解锁；
4、Page擦除Flash第48页；
5、对Flash第48页前半页进行快速编程并校验，数据为步骤2初始化的数据缓存区内容；
   对Flash第48页后半页进行快速编程并校验，数据为步骤2初始化的数据缓存区内容；
   快速编程函数指定在RAM中执行（由分散加载文件实现，MDK工程由Flash_PageErase_FastProgram.sct文件加载）；
6、Flash控制寄存器加锁。
